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Neo Semiconductor公布2T SRAM,宣稱可實(shí)現(xiàn)5倍片上緩存容量

2026-08-05 09:25:42 IT之家


(資料圖片)

IT之家 8 月 5 日消息,3D 存儲(chǔ)半導(dǎo)體 IP 企業(yè) Neo Semiconductor 在 FMS 2026 上公布了其雙晶體管 (2T) SRAM 設(shè)計(jì) X-SRAM,宣稱可實(shí)現(xiàn)現(xiàn)有方案 5 倍的片上緩存容量。

IT之家了解到,目前的商業(yè)化主流 SRAM 由 6 個(gè)晶體管構(gòu)成,這限制了片上緩存的擴(kuò)展,而大容量高速 SRAM 緩存非常適合推理解碼等人工智能工作負(fù)載。Neo Semiconductor 稱其可將片上 SRAM 容量提升到 GB 級(jí)別。

Neo Semiconductor 展示了 4 種不同的 X-SRAM 單元結(jié)構(gòu):Type B 方案與現(xiàn)有 GAA Nanosheet 尖端邏輯制程直接兼容;Type A / C / D 則各有側(cè)重,需要工藝配合調(diào)整。

該企業(yè)還展望了堆疊式的 3D X-SRAM,有望實(shí)現(xiàn) 20~40 倍于現(xiàn)有設(shè)計(jì)的 SRAM 容量。

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